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华灿正式布局第三代半导体
发布时间:2019-11-27  浏览量:25

昨日,“引领未来·科技创新项目发布会”在杭州举行。


发布会上,浙江省科技厅发布了首批浙商企业省级重点实验室名单并为这些企业现场授牌。其中,华灿光电成功获批浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室,为义乌市首家省级重点实验室。


华灿光电表示,这标志着浙江省科技厅对公司在第三代半导体材料与器件领域的技术储备以及科研实力的肯定,标志着华灿光电在科技创新建设方面又将迈上新台阶。


据了解,该重点实验室将致力于第三代半导体材料和器件产业共性技术、关键性技术和前瞻性技术的引进吸收和自主研究开发。同时,利用技术研究的成果提供产业化必需的工程技术研发和成果对接。


除了刚获批的省级重点实验室,华灿光电还成功获批浙江省高新技术企业研究开发中心,浙江省领军型创新团队、浙江省级企业技术中心、浙江省博士后工作站,义乌市创新型领军企业,承担及参与的国家重点研发计划,科技创新合作重点专项,浙江省重点研发计划项目,广东省重点研发计划项目正在有序开展中。


事实上,华灿光电自成立以来专注半导体材料与器件的研发和生产,目前为国内第二大LED芯片制造商。该公司在深耕LED芯片领域的同时,利用其科研优势在第三代半导体其他领域进行积极的研发储备,并取得了重要进展。


据了解,今年9月间,华灿光电宣布全资孙公司光华(天津)投资管理有限公司(天津光华)与子公司华灿光电(浙江)有限公司所共同设立的天津海河灿芯半导体股权投资合伙企业(有限合伙)(灿芯半导体)拟募集资金30亿元。


其中,为完成灿芯半导体后续资金的募集,天津光华作为灿芯半导体的普通合伙人暨基金管理人,出资人民币100万元。而本次投资的基金主要对智能传感器、集成电路及其他新兴智能科技产业进行直接或间接股权或准股权投资。


而同样作为LED芯片领军制造商的三安光电,在化合物半导体之路上更已入局多年。


公司在2015年起全面布局化合物半导体,目标打造化合物半导体制造领军者。2014年5月起,三安光电延伸其Ⅲ-Ⅴ族化合物(LED用砷化镓及氮化镓芯片)的生产经验,正式涉足化合物晶圆制造的代工服务。


2014年5月公司设立厦门三安集成并实施建设30万片/年砷化镓(GaAs)和6万片/年氮化镓 (GaN) 外延片生产线。


2015年10月,三安集成电路开始实施试生产。


2016年11月,公司与GCS合资设立厦门三安环宇集成电路有限公司,其中三安光电股份占比51%。


2017年1月公司HBT工艺通过重点客户产品认证,2018年12月三安集成宣布推出国内第一家6英寸SiC晶圆代工制程,且全部工艺鉴定试验已完成。


除此之外,三安光电泉州基地、鄂州基地等大手笔项目也在进行当中。


2017年12月,三安光电宣布将在福建省泉州芯谷南安园区投资333亿元从事产业化项目,包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目,高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目,大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目等七大产业集群。全部项目五年内实现投产,七年内全部项目实现达产。


2019年4月,三安光电宣布与湖北省葛店经济技术开发区管理委员会签订项目投资合同,投资总额120亿元,兴办III-V族化合物半导体项目,主要生产经营Mini/Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。


据介绍,预计氮化镓芯片系列年产161万片(其中蓝光Mini LED 72万片/年,蓝光Micro LED 9万片/年,绿光Mini LED 72万片/年,绿光Micro LED 8万片/年);砷化镓芯片系列年产75万片(其中红光Mini LED 66万片/年,红光Micro LED 9万片/年)。


三安光电在化合物半导体产业上的决心在2019年半年度报告里也可见一斑,它是这样说的:


报告期内,公司继续围绕战略发展规划开展工作,着重于化合物半导体产业的发展,专注于以碳化硅、砷化镓、氮化镓、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到的核心主业研发、生产和销售,力促光电业的发展,致力于将化合物半导体集成电路业务发展至全球行业领先水平,努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。



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